双光束瞬态光伏谱测量半导体深能级【摘要】：提出一种测量半导体深能级的新方法——双光束瞬态光伏谱.与目前测量深能级通常采用的方法DLTS相比,具有两个突出的优点,对被测样品无破坏性和

硅中金受主能级特性的低温动态光伏研究【摘要】：本文采用统计方法,对40K下金过补偿的P型硅单晶的动态光伏问题进行处理.计算结果与实验符合很好,从而探讨了硅中金受主能级在光离化、载流

Si基碲镉汞光伏探测器的深能级研究【摘要】：通过变温I-V测试方法对中波Si基碲镉汞光伏探测器的深能级进行了研究.首先在产生-复合电流为主导电流机理范围内对Si基碲镉汞探测器的I-

太阳能级硅中硼磷的去除【摘要】：正太阳能级硅材料的纯度直接影响到电池的转换效率。其中硼磷比较难以除去,留在材料中形成缺陷,缺陷复合少数载流子,导致电池转换效率难以提高。现在太阳能电

太阳能级多晶硅生产技术发展现状及展望【摘要】：全面介绍了太阳能级多晶硅的生产技术现状及有代表性的新工艺、新技术的研究动态。太阳能级多晶硅生产技术主要包括西门子法、硅烷法和冶金法。冶

制备太阳能级硅工艺进展【摘要】：本文阐述了传统制备太阳能级硅的生产工艺和光伏产业发展的现状,说明了研究开发低成本制备太阳能级硅生产工艺的必要性;同时介绍了目前研发的低成本制备太阳能

太阳能级硅制备技术与除硼工艺研究现状【摘要】：低成本提纯冶金硅至太阳能级硅工艺技术越来越受到广泛重视,成为研究开发热点。本文介绍了太阳能级硅的发展,用途以及国内外生产现状,讨论了西

天然染料共敏化太阳能电池的光电化学性能研究【摘要】：正采用电化学方法研究了花青素和β-胡萝卜素敏化TiO_2纳米薄膜的光电化学行为。结合两种染料的紫外-可见吸收光谱和循环伏安曲线,

冶金法制备太阳能级硅工艺及其进展【摘要】：近几年来,用冶金法提纯冶金级硅,制造太阳能级多晶硅取得了可喜的成绩,但是,硅料中杂质的彼此影响和杂质浓度对电池转化效率的作用、以及冶金过程

冶金法制备太阳能级硅中湿法除B探索研究【摘要】：实验分别研究了低浓度的HF+HCl、HF+H_2SO_4、HF+HNO_3三组混合酸常压酸浸,HCl、HNO_3两种酸加压酸浸和铵盐

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冶金法制备太阳能级硅的研究进展【摘要】：随着硅集成电路和器件以及太阳能电池产业的快速发展,导致了高纯多晶硅的严重脱销和价格暴涨,制约了光伏发电产业的发展,由于硅材料的成本约占太阳能

天然染料共敏化太阳能电池的光电化学性能研究【摘要】：正采用电化学方法研究了花青素和β-胡萝卜素敏化TiO_2纳米薄膜的光电化学行为。结合两种染料的紫外-可见吸收光谱和循环伏安曲线,

实验室流化床法制备太阳能级多晶硅研究【摘要】：随着全球太阳能电池产量快速增加,直接拉动了多晶硅需求的迅猛增长。多晶硅的生产仍是光伏产业链的能力制约因素。目前,太阳能级多晶硅制备的主

超薄太阳能级硅片切割技术研究【摘要】：太阳能是世界上最普遍、最安全便宜与清洁的能源,光伏发电是利用太阳能最重要的一种方式之一。光伏产业链从上游到下游包括硅料、铸锭(拉棒)、切片、电

透热模型结合梯度法计算氟甲烷阳离子振动能级【摘要】：正氟甲烷中性分子具有C3v对称性,但是氟甲烷阳离子因为有较强的杨--泰勒相应,所以离子有三个等价的能量最小点,由于量子隧穿效应,

一卤代甲烷紫外光电子能谱的SCF-X_α-SW指定【摘要】：正 本文用多重散射X_α方法(以下简称SCF-X_α-SW)计算了CH_3F、CH_3Cl、CH_3Br和CH_3I分子

太阳能级硅的电磁悬浮熔炼【摘要】：电磁悬浮与离心铸造技术(ELCC)开辟了低成本制备太阳电池用硅片材料的新途径。硅材料的无污染熔炼是进行ELCC硅片成形的重要前提。采用电阻与高频感

太阳能级硅的电磁约束感应熔炼【摘要】：报道了太阳能级硅的电磁约束感应熔炼技术（ＥＩＭ）。依据电磁悬浮熔炼原理，在磁悬浮技术的基础上，把电磁悬浮熔炼技术和冷坩埚熔炼技术相结合，通过感

碳热还原歧化法制备太阳能级硅的实验研究(英文)【摘要】：以经预处理的废石英和木炭为原料,在高温下通过碳热还原反应生成高纯SiO气体,SiO发生歧化反应生成高纯的硅和高纯SiO_2,

太阳能电池板的生产优化【摘要】：Siliken再生能源公司利用NI的硬件与软件进行标准化生产【作者单位】：Siliken再生能源公司; 【关键词】：硅提纯 电流-电压特征测试

太阳能级多晶硅制备技术研究进展(英文)【摘要】：随着光伏市场需求不断增加,满足光伏电池技术经济指标要求的硅材料出现严重短缺,低成本提纯冶金硅至太阳能级多晶硅工艺技术越来越受到广泛重

等离子体提纯太阳能级硅材料的工艺进展【摘要】：随着等离子体的发展,利用等离子体的高化学活性进行合金的精炼日益受到重视,等离子体熔炼被广泛应用在材料加工、金属材料提纯精炼等领域。主要

Si(111)7×7清洁表面的总电流谱【摘要】：用自制的总电流谱仪对Si(111)7×7清洁表面进行了测量,得到A,B,C,D四个谱峰的能量位置分别在真空能级以上2.6,5.2,8

太阳能硅制备过程湿法提纯SiO_2的工艺优化【摘要】：考察了HF质量分数、H2C2O4质量分数、HNO3质量分数、酸浸时间、粒径、液体质量与固体质量的比值(简称液固比,下同)等因素