si的用途 si的化学物理性质

【专家解说】：　　硅的性质： 　　结晶型的硅是暗黑蓝色的，很脆，是典型的半导体。化学性质非常稳定。在常温下，除氟化氢以外，很难与其他物质发生反应。 　　硅的用途： 　　①高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成n型和p型半导体结合在一起，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。 　　②金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。将陶瓷和金属混合烧结，制成金属陶瓷复合材料，它耐高温，富韧性，可以切割，既继承了金属和陶瓷的各自的优点，又弥补了两者的先天缺陷。 可应用于军事武器的制造第一架航天飞机“哥伦比亚号”能抵挡住高速穿行稠密大气时磨擦产生的高温，全靠它那三万一千块硅瓦拼砌成的外壳。 　　③光导纤维通信，最新的现代通信手段。用纯二氧化硅拉制出高透明度的玻璃纤维，激光在玻璃纤维的通路里，无数次的全反射向前传输，代替了笨重的电缆。光纤通信容量高，一根头发丝那么细的玻璃纤维，可以同时传输256路电话，它还不受电、磁干扰，不怕窃听，具有高度的保密性。光纤通信将会使 21世纪人类的生活发生革命性巨变。 　　④性能优异的硅有机化合物。例如有机硅塑料是极好的防水涂布材料。在地下铁道四壁喷涂有机硅，可以一劳永逸地解决渗水问题。在古文物、雕塑的外表，涂一层薄薄的有机硅塑料，可以防止青苔滋生，抵挡风吹雨淋和风化。天安门广场上的人民英雄纪念碑，便是经过有机硅塑料处理表面的，因此永远洁白、清新。 　　发现 　　1822年，瑞典化学家白则里用金属钾还原四氟化硅，得到了单质硅。 　　[编辑] 　　名称由来 　　源自英文silica，意为“硅石”。 　　[编辑] 　　分布 　　硅主要以化合物的形式,作为仅次于氧的最丰富的元素存在于地壳中，约占地表岩石的四分之一，广泛存在于硅酸盐和硅石中。 　　[编辑] 　　制备 　　工业上，通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得。 　　化学反应方程式： 　　SiO2 + 2C → Si + 2CO 　　这样制得的硅纯度为97~98%，叫做金属硅。再将它融化后重结晶，用酸除去杂质，得到纯度为99.7~99.8%的金属硅。如要将它做成半导体用硅，还要将其转化成易于提纯的液体或气体形式，再经蒸馏、分解过程得到多晶硅。如需得到高纯度的硅，则需要进行进一步的提纯处理。 　　[编辑] 　　同位素 　　已发现的硅的同位素共有12种，包括硅25至硅36，其中只有硅28，硅29，硅30是稳定的，其他同位素都带有放射性。 　　[编辑] 　　用途 　　硅是一种半导体材料，可用于制作半导体器件和集成电路。还可以合金的形式使用(如硅铁合金)，用于汽车和机械配件。也与陶瓷材料一起用于金属陶瓷中。还可用于制造玻璃、混凝土、砖、耐火材料、硅氧烷、硅烷。 　　硅的特性 铝 - 硅 - 磷 　　碳 　　硅 　　锗 　　? 　　元素周期表 　　总体特性 　　名称, 符号, 序号 硅、Si、14 　　系列 类金属 　　族, 周期, 元素分区 14族(IVA), 3, p 　　密度、硬度 2330 kg/m3、6.5 　　颜色和外表 深灰色、带蓝色调 　　地壳含量 25.7% 　　原子属性 　　原子量 28.0855 原子量单位 　　原子半径（计算值） 110（111）pm 　　共价半径 111 pm 　　范德华半径 210 pm 　　价电子排布 [氖]3s23p2 　　电子在每能级的排布 2，8，4 　　氧化价（氧化物） 4（两性的） 　　晶体结构 面心立方 　　物理属性 　　物质状态 固态 　　熔点 1687 K（1414 °C） 　　沸点 3173 K（2900 °C） 　　摩尔体积 12.06×10-6m3/mol 　　汽化热 384.22 kJ/mol 　　熔化热 50.55 kJ/mol 　　蒸气压 4.77 帕（1683K） 　　声速 无数据 　　其他性质 　　电负性 1.90（鲍林标度） 　　比热 700 J/(kg·K) 　　电导率 2.52×10-4 /(米欧姆) 　　热导率 148 W/(m·K) 　　第一电离能 786.5 kJ/mol 　　第二电离能 1577.1 kJ/mol 　　第三电离能 3231.6 kJ/mol 　　第四电离能 4355.5 kJ/mol 　　第五电离能 16091 kJ/mol 　　第六电离能 19805 kJ/mol 　　第七电离能 23780 kJ/mol 　　第八电离能 29287 kJ/mol 　　第九电离能 33878 kJ/mol 　　第十电离能 38726 kJ/mol 　　最稳定的同位素 　　同位素 丰度 半衰期 衰变模式 衰变能量 　　MeV 衰变产物 　　28Si 92.23 % 稳定 　　29Si 4.67 % 稳定 　　30Si 3.1 % 稳定 　　32Si 人造 276年 β衰变 0.224 32P 　　核磁公振特性 　　29Si 　　核自旋 1/2