单晶的少子寿命与原生多晶硅检测出来的少子寿命有什么关系？

【专家解说】：um（微米）是长度单位，是指少子的扩散长度；少子寿命的单位是us（微秒） 少子扩散长度和少子寿命基本上是等同的，一个是指能“跑多远”，一个是指能“活多久”，表述不同而已 少子寿命是越大越好，就目前的太阳能级硅来说能有5us已经不错了，如果太低（如小于1us）将严重影响电池效率。现在太阳能企业要求越来越高,多晶要求大于2,单晶要求大于10。 处于热平衡状态下的半导体，在一定温度下，载流子的浓度是一定的，称为平衡载流子浓度, 如果对半导体施加外界作用,破坏了热平衡的条件，称为非平衡状态。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。非平衡载流子分为非平衡多数载流子和非平衡少数载流子, 对于n型半导体材料，多出来的电子就是非平衡多数载流子,空穴则是非平衡少数载流子。对p型半导体材料则相反, 产生非平衡载流子的外界作用撤除以后，它们要逐渐衰减以致消失，最后载流子浓度恢复到平衡时的值, 非平衡少数载流子的平均生存时间称为非平衡少数载流子的寿命,简称少子寿命。 一、单晶硅少子寿命测试仪产品介绍： 1、 可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管级硅单晶的少子寿命。 2、 可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。 3、 配备专用软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。 4、 配置两种波长的红外光源： a、红外光源，光穿透硅晶体深度较深≥500μm，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。 b、短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能级硅晶体。 二、单晶硅少子寿命测试仪测量范围可直接测量： a、研磨或切割面：电阻率≥0.3Ω•㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。 b、抛光面：电阻率在0.3～0.01Ω•㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。 寿命可测范围 0.25μS—10ms