非晶硅薄膜太阳能电池制造中激光刻线的要求？

【专家解说】：第一道激光划线，也叫做P1，需要将TCO膜划断，既然是将导电薄膜划断，那么就需要划断后的电阻（万用表跨线测量即可）大，一般要求2兆欧。P2划硅层，不能破坏TCO层。P3划背电极及硅层，同样不能破坏TCO层。 三道激光划线需要平行度高，避免交叉；需要线宽线距小，以降低死区宽度；需要边缘平滑无毛刺，避免未划断造成短路；光斑重叠率要小，以提高加工效率。