PLD溅射后硒化法制备铜铟硒(CIS)太阳能薄膜的表征

【摘要】：通过X射线衍射分析(XRD)、扫描电镜分析(SEM)、X射线光电子能谱分析(XPS)和X射线荧光分析(XRF),对PLD溅射后硒化法制备出的铜铟硒(CIS)太阳能薄膜进行了表征;结果表明此工艺方法可以制备出单相性较好的黄铜矿结构的CIS薄膜。 【作者单位】： 中国建材国际工程有限公司;
【关键词】： CuInSe(CIS) 薄膜 太阳能电池 PLD溅射 后硒化
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 目前,薄膜太阳能电池的研究工作主要集中在非晶硅薄膜电池、CdTe系薄膜电池、CIS(CuInSe2)系薄膜电池和多晶硅薄膜电池上。其中,CIS系薄膜电池由于转换效率最高成为了研究热点。这种电池就是以CIS为吸收层的高效薄膜太阳能电池,CuInSe2属于Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ族化合物,它是由Ⅱ-Ⅳ族化

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