基于P-N结的硅太阳能电池的数值分析

【摘要】：在P-N结硅太阳能电池数学模型的基础上,利用Matlab语言对硅太阳能电池的光电流密度进行了数值模拟,得到了P-N结硅太阳能电池的绝对光谱响应曲线,并采用参数分类变化和比较的方法,对硅片的器件参数和光电流密度之间的关系进行了数值分析,得出了太阳能电池光电流密度与硅片参数之间的相互关系,找出了可以提高光电流密度的方法,实验结论在具体的工艺实践中具有指导意义. 【作者单位】： 兰州交通大学电子与信息工程学院;兰州大学物理科学与技术学院;兰州交通大学自动化与电气工程学院;
【关键词】： P-N结 太阳能电池 绝对光谱响应 光电流密度
【基金】：兰州市科技计划项目(07-2-46)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 0引言硅太阳电池光生电流的大小可以决定它的开路电压和转换效率,而硅太阳电池光电流函数表达式中包含了诸如N区空穴的表面复合速度Sp、P区电子的表面复合速度Sn、扩散结深xj和电池厚度H等多个硅片的器件参数,传统的太阳能电池研制常需要经过试制→测量→修改参数→再试制的

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