石墨烯生长所需的自清洁基底-氧化铜

【摘要】：利用化学气相沉积法(CVD)在铜基底上进行石墨烯生长之前,铜基底需要预先清洁处理,例如利用有机溶剂丙酮清洗,或是利用硝酸、盐酸、醋酸等酸性溶液浸泡,亦或是在氢气还原气氛保护下进行高温退火等等,这些处理方法一定程度上能够使铜表面得到清洁,但都无法完全去除铜表面的碳残留,而这些碳残留能够促进石墨烯成核并最终导致更高的成核密度。我们发现,表面被氧化的铜基底在CVD生长石墨烯时能够具有自清洁的功能。在真空条件下,铜表面的氧化铜热解生成铜和氧气,而这些释放的氧气能够氧化铜表面的残留碳,使之生成气相的一氧化碳和二氧化碳而脱离表面,从而使得铜表面在原位得到彻底清洁。研究发现,利用表面经过预氧化处理的铜基底进行石墨烯生长时,其石墨烯成核密度要比利用普通化学试剂清洗的铜基底低1000倍,从而为大面积单晶石墨烯的生长提供了条件。 【作者单位】：合肥工业大学化学与化工学院
【关键词】：石墨烯 化学气相沉积 氧化铜
【分类号】：O613.71
【正文快照】： 石墨烯生长所需的自清洁基底-氧化铜@孔祥华$合肥工业大学化学与化工学院!安徽省合肥市屯溪路193号,230009利用化学气相沉积法(CVD)在铜基底上进行石墨烯生长之前,铜基底需要预先清洁处理,例如利用有机溶剂丙酮清洗,或是利用硝酸、盐酸、醋酸等酸性溶液浸泡,亦或是在氢气还原

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