SnS_2/SnS薄膜太阳能电池的制备与性能研究

【摘要】：文章采用水热法合成SnS2、SnS纳米晶体,用浸涂法制备了相应薄膜及其太阳能电池。用XRD和TEM分析了纳米晶体的晶型和颗粒形貌,用SEM对SnS2薄膜进行了表征,测量了SnS2、SnS薄膜的UV-Vis、UV-Vis-NIR吸收性能。结果表明,所制备的SnS2、SnS颗粒分别呈球形和片状结构且结晶性良好,SnS2薄膜的直接带隙为2.6 eV、间接带隙为2.2 eV,SnS薄膜的直接带隙为1.2 eV,间接带隙为1.0 eV,得到的SnS2/SnS薄膜太阳能电池的短路电流密度为1.1μA/cm2,开路电压为25 mV。 【作者单位】： 合肥工业大学化学工程学院;合肥工业大学应用物理系;合肥工业大学材料科学与工程学院;
【关键词】： 水热法 SnS SnS 浸涂法 薄膜太阳能电池
【基金】：国家重点基础研究发展计划资助项目(2006CB202600)
【分类号】：TM914.42
【正文快照】： Sn和S能形成多种化合物(SnxSy),如SnS、SnS2、Sn2S3和Sn3S4,其中最重要的是SnS2和SnS[1]。一般来说,SnS2是n型半导体,光学带隙为2·44 eV[2];SnS是p型半导体,光学带隙为1·3 eV,介于Si(1·12 eV)和GaAs(1·43 eV)之间,与太阳辐射中的可见光有很好的光谱匹配,根据Prince-Lofers

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