Si(100)清洁表面吸附氢的功函数变化

【摘要】：正 半导体清洁表面存在各种形式的再构.在解释这些再构时,会提出许多不同的表面原子排列模型.为了判断哪一种模型是正确的,除了测量低能电子衍射的Ⅰ-Ⅴ曲线及光电子能谱来同理论计算相比较外,从表面吸附氢以后原子结构和光电子能谱的变化,也可对模型的正确性提供一些旁证.因而在半导体表面的研究中,氢在表面的吸附是一个很基本的课题. 【作者单位】： 复旦大学物理系 复旦大学物理系 复旦大学物理系
【关键词】： 功函数变化 表面吸附 二聚化 非对称 清洁表面 光电子能谱 氢化 费米能级 低能电子衍射 温度系数
【正文快照】： 一引吉 、丫.卜J 半导体清洁表面存在各种形式的再构.在解释这些再构时,会提出许多不同的表面原子排列模型.为了判断哪一种模型是正确的,除了测量低能电子衍射的卜V曲线及光电子能谱来同理论计算相比较外,从表面吸附氢以后原子结构和光电子能谱的变化,也可对模型的正确性提供

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