硒化温度对铜铟镓硒太阳能电池吸收层性能的影响

【摘要】：用预制膜硒化法制备铜铟硒系太阳能电池的吸收层CIGSe薄膜,用X射线荧光分析(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射分析(XRD)和拉曼谱分析(Raman)以及基于霍尔效应分别测定或观测CIGSe薄膜的成分、表面形貌、结构以及电阻率和少数载流子迁移率,研究了在近玻璃软化点520-560℃区间硒化温度对薄膜成分、表面形貌、结构和电学性能的影响。结果表明:当硒化温度在520-560℃时,CIGSe薄膜的成分和表面形貌保持不变,但是随着硒化温度的升高CIGSe薄膜中有序缺陷相(ODC)和Cu-Se短路相增加,提高了薄膜内的缺陷浓度,使薄膜的少数载流子迁移率降低、电阻率增大。 【作者单位】： 清华大学机械工程系;
【关键词】： 无机非金属材料 太阳能电池 铜铟镓硒 预制膜硒化 硒化温度 ODC相 Cu-Se相
【基金】：国家863项目先进能源技术领域2007AA05Z461资助项目~~
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 自被发现可作为光伏材料[l]以来，clse系材料(Culnse:、CuGaseZ、CulnS:、Cu(Inl一二Ga二)(Sel一，S，)2以其直接带隙、禁带宽度可调、制作成本低、光吸收系数高和太阳电池稳定性高【2一6}等优点成为研究的热点，是最具开发潜力的新一代太阳能电池材料。CISe系材料的制备方法

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