SiO_2/SiNx:H选择性刻蚀改善光诱导化学镀/电镀多晶硅太阳能电池过镀现象

【摘要】：自对准的光诱导化学镀/电镀技术以其栅线宽度小、工艺快捷高效等优点,成为制备选择性发射极太阳能电池的理想选择.然而,该技术的前序需要HF溶液有效去除重掺杂区表面SiO2的同时,避免在SiNx:H掩模上刻蚀出微孔而露出衬底的硅,否则金属镍和银会在光诱导化学镀/电镀工艺中沉积在微孔中,导致过镀现象.这就要求预处理溶液对SiO2/SiNx:H有很高的选择性刻蚀.本工作根据实验结果分析了产生过镀现象的原因,研究了进行SiO2/SiNx:H选择性刻蚀的可行性.依据HF刻蚀SiO2和SiNx:H的机理,通过调节HF缓释溶液的pH值,改善了多晶硅太阳能电池的过镀现象. 【作者单位】： 太阳能热利用及光伏系统重点实验室中国科学院电工研究所;中轻太阳能电池有限责任公司;广州确信乐思化学贸易有限公司;中国检验检疫科学研究院;北京市太阳能研究所;
【关键词】： 过镀 选择性刻蚀 光诱导化学镀/电镀 多晶硅太阳能电池
【基金】：中国科学院知识创新工程重要方向(No.KGCX2-YW-382) 国家高技术研究发展计划(No.2007AA05Z437)资助项目
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 有效的自对准化学镀电极可以结合多种选择性发射极技术,例如喷墨印刷﹑激光刻槽﹑激光掺杂,得到低接触电阻的太阳能电池.在激光掺杂选择性发射极太阳能电池中,采用光诱导化学镀镍和光诱导电镀银制备金属电极.金属镍离子需要通过氧化还原反应沉积到激光作用后裸露的硅上[1～3]

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