快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响

【摘要】：研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度. 【作者单位】： 河北工业大学信息功能材料研究所 河北工业大学信息功能材料研究所 北京有色金属研究总院 北京有色金属研究总院 河北工业大学信息功能材料研究所 河北工业大学信息功能材料研究所 河北工业大学信息功能材料研究所 河北工业大学信息功能材料研究所
【关键词】： CZSi 空洞型微缺陷 流动图形缺陷 快速热处理 MDZ
【基金】：国家自然科学基金(批准号:60076001,50032010) 天津市自然科学基金 河北省自然科学基金资助项目~~
【分类号】：TN304
【正文快照】： 1引言直拉硅(CZSi)单晶中空洞型微缺陷(void de-fect)和金属杂质对硅材料的性能和器件的成品率都有重要的影响,是现代大规模集成电路工艺中需要着重控制的两个关键因素.空洞型微缺陷是栅氧化层中最主要的缺陷,成为大规模集成电路成品率和稳定性的制约因素;金属杂质则会影响集

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