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Cu_2ZnSnS_4薄膜太阳能电池吸收层材料的制备和性能研究

来源:论文学术网
时间:2024-08-18 12:37:56
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Cu_2ZnSnS_4薄膜太阳能电池吸收层材料的制备和性能研究【摘要】:Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜太阳能电池的组成元素含量丰富、廉价、无毒,是太阳能电池领域的研究热点,理论

【摘要】:Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜太阳能电池的组成元素含量丰富、廉价、无毒,是太阳能电池领域的研究热点,理论预测Cu2ZnSnS4(CZTS)四元化合物薄膜太阳能电池的理论光电转换效率可达32.2%。然而,目前最高转换效率只有12%左右。造成这种局面的关键问题之一就是CZTS薄膜的质量和性能较差。因此,寻找CZTS薄膜的制备技术和方法,提高薄膜的质量和性能,是制备高效率CZTS基太阳电池的关键科学问题。本文分别采用溶胶—凝胶(Sol-gel)和磁控溅射技术,结合后热处理或硫化技术,开展了CZTS薄膜制备研究工作,并通过对薄膜结构、成分和性能的表征,研究了影响CZTS晶体结构和物理性能的因素和机制。具体研究内容和结果如下: 1、以氯化铜、氯化锌、氯化锡以及硫脲为原料,利用溶胶—凝胶硫化法制备Cu2ZnSnS4薄膜。研究热处理条件及Zn含量对薄膜结构、成分及性能的影响。发现较低温度硫化热处理后的薄膜含有部分Cl的存在,推断Cl可能占据CZTS中的S位,且在硫化热处理过程中逐渐被S元素替代。前驱体溶液中,Zn源含量为11.5mmol的前驱体薄膜先经250℃预退火,再经480℃硫化2h后可制得具有锌黄锡矿结构的单一相CZTS薄膜,该薄膜表而平整致密,禁带宽度为1.52eV,载流子浓度为2.46×1015cm-3。 2、采用磁控溅射CZTS四元靶材先生长Cu-Zn-Sn-S非晶前驱体薄膜,然后对前驱体薄膜进行不同条件的热处理制备CZTS薄膜,研究热处理条件对CZTS薄膜结构、成分及性能的影响。发现当前驱体薄膜在530℃,硫源质量为3g条件下硫化制备的CZTS薄膜具有良好的光学和电学性能,禁带宽度为1.52eV,载流子浓度为1.59×1016cm-3。 3、利用磁控溅射技术,按顺序沉积Cu/Sn/ZnS生长前驱体薄膜,然后对前驱体薄膜进行不同条件的硫化热处理,研究生成CZTS的反应路线及最佳硫化条件。研究表明:金属预制层在硫化过程中首先生成二元、三元硫化物,最后反应生成Cu2ZnSnS4相。硫源质量小或硫源温度低会导致硫化过程中元素反应不充分,硫源质量较大导致薄膜表面的疏松多孔,硫源温度高容易导致硫化过程中杂相的析出。前驱体薄膜在薄膜温度和硫源温度均为500℃,硫源质量2g硫化热处理后形成单一锌黄锡矿结构的CZTS薄膜,薄膜表面致密呈颗粒状,其禁带宽度约为1.54eV。 4、利用磁控溅射技术沉积六种不同沉积顺序的前驱体薄膜,然后对六种前驱体薄膜进行500℃的硫化热处理制备CZTS薄膜。研究沉积顺序对薄膜结构、成分及性能的影响。发现沉积顺序为Cu/Sn/ZnS的前驱体薄膜经硫化热处理后的薄膜表面更加致密,成分更接近化学计量比。在此基础上,又交替循环沉积Cu/Sn/ZnS/Cu/Sn/ZnS和Cu/Sn/ZnS/Cu/Sn/ZnS/Cu/Sn/ZnS前驱体薄膜,研究循环沉积次数对薄膜结构、成分及性能的影响。研究表明:经500℃硫化热处理后,Cu/Sn/ZnS和Cu/Sn/ZnS/Cu/Sn/ZnS薄膜中均形成单一锌黄锡矿结构的CZTS相,而Cu/Sn/ZnS/Cu/Sn/ZnS/Cu/Sn/ZnS薄膜中发现ZnS相的存在。循环沉积次数的增加加速了CZTS薄膜的合成过程,增大了薄膜表面的颗粒尺寸,但增加了薄膜的禁带宽度。 通过以上几种方法的研究,发现利用磁控溅射循环沉积的方法更有利于制备大晶粒,高性能的具有锌黄锡矿结构的CZTS薄膜。 【关键词】:CZTS薄膜 溶胶-凝胶 磁控溅射 硫化
【学位授予单位】:吉林大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2015
【分类号】:TM914.42
【目录】:
  • 摘要4-6
  • Abstract6-11
  • 第一章 绪论11-29
  • 1.1 引言11-12
  • 1.2 太阳能电池的分类及简介12-17
  • 1.3 Cu_2ZnSnS_4薄膜太阳能电池吸收层材料简介17-26
  • 1.3.1 CZTS薄膜太阳能电池的器件结构17-19
  • 1.3.2 CZTS薄膜的结构与缺陷研究19-21
  • 1.3.3 CZTS薄膜材料的研究现状21-23
  • 1.3.4 CZTS薄膜的制备方法23-26
  • 1.4 本文主要工作的目的和意义26-29
  • 1.4.1 本论文的选题依据26-27
  • 1.4.2 本论文的主要工作27-29
  • 第二章 实验方法与表征29-37
  • 2.1 玻璃衬底的预处理29
  • 2.2 Cu_2ZnSnS_4薄膜的制备29-35
  • 2.2.1 溶胶-凝胶法制备CZTS前驱体薄膜29-31
  • 2.2.2 磁控溅射法制备CZTS前驱体薄膜31-34
  • 2.2.3 前驱体薄膜的硫化34-35
  • 2.3 Cu_2ZnSnS_4薄膜样品的表征35-37
  • 第三章 溶胶凝胶硫化法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及薄膜性能的研究37-55
  • 3.1 引言37-38
  • 3.2 实验过程38
  • 3.3 结果与讨论38-54
  • 3.3.1 热处理温度及氛围对CZTS薄膜的形成、成分及能带的影响38-45
  • 3.3.2 热处理工艺对CZTS薄膜的结构及性能影响45-50
  • 3.3.3 锌含量对CZTS薄膜结构及性能的影响50-54
  • 3.4 本章结论54-55
  • 第四章 磁控溅射四元靶材制备CZTS薄膜及其结构和性能表征55-63
  • 4.1 前言55
  • 4.2 实验过程55-56
  • 4.3 结果与讨论56-62
  • 4.3.1 氩气氛围下,热处理温度对Cu-Zn-Sn-S非晶前驱体薄膜结构转变及其性能的影响56-58
  • 4.3.2 硫源质量对Cu-Zn-Sn-S非晶前驱体薄膜性能的影响58-62
  • 4.4 本章结论62-63
  • 第五章 顺序沉积Cu/Sn/ZnS前驱体薄膜的硫化条件对Cu_2ZnSnS_4相的形成和性能的影响规律的研究63-79
  • 5.1 前言63-64
  • 5.2 实验过程64-65
  • 5.3 结果与讨论65-77
  • 5.3.1 硫化温度对Cu/Sn/ZnS前驱体薄膜结构转变及其性能的影响65-70
  • 5.3.2 硫源条件对Cu/Sn/ZnS前驱体薄膜结构转变及其性能的影响70-77
  • 5.4 本章结论77-79
  • 第六章 沉积顺序及循环沉积次数对CZTS薄膜形成和性能的影响79-93
  • 6.1 前言79
  • 6.2 实验过程79-81
  • 6.3 结果与讨论81-91
  • 6.3.1 沉积顺序对单一相CZTS薄膜的形成和性能影响81-85
  • 6.3.2 循环沉积次数对CZTS薄膜的形成和性能的影响85-91
  • 6.4 本章结论91-93
  • 结论与展望93-95
  • 参考文献95-105
  • 攻读博士学位期间取得的学术论文105-107
  • 作者简介107-108
  • 致谢108


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