硅太阳能电池铝背场P~+层的模拟优化

【摘要】：针对P型衬底硅太阳电池,以生产线上的实验结果为依据,通过数值计算,模拟了铝背场P+层掺杂浓度分布及其深度对太阳能电池电性能的影响。分析了铝背场P+层在不同掺杂浓度和深度下电性能的变化特征。结果表明对于生产线上的电池,P+层深度为5～7μm的电池片,最佳掺杂浓度为7×1018～9×1018cm-3,当掺杂浓度大于5×1019cm-3,P+层最佳深度将小于1μm。 【作者单位】： 南京大学物理学院光伏工程中心南京大学微结构物理国家重点实验室;
【关键词】： 硅太阳能电池 铝背场 性能模拟 PCD
【基金】：南京大学固体微结构物理国家重点实验室自主创新课题基金(2010ZZ13)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 1引言太阳能是安全、清洁、可再生能源的源泉,在解决能源危机以及传统能源对环境污染占有重要的战略地位[1]。为了降低太阳能电池的成本,减少硅材料的用量,提高光电转换效率,需要不断减薄硅片厚度。随着硅片厚度的减薄,铝背场在降低电池背面复合速率,提高太阳电池转换效率方

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