航空太阳能电池用超薄锗单晶的精密抛光

【摘要】：主要对影响锗单晶抛光后表面微粗糙度的关键因素—抛光液组分的作用进行分析。采用变量控制的实验方法,从活性剂、有机胺碱、氧化剂、硅溶胶磨料和螯合剂五个因素出发进行实验。针对粗糙度影响因素进行分析与优化,同时对抛光速率进行了分析,研究得出,抛光液组分中氧化剂浓度对CMP过程中锗衬底片表面微粗糙度及去除速率的影响最为显著。优化抛光液组分配比,在抛光速率基本满足工业要求(1.5μm/min)下,经过CMP后锗衬底表面微粗糙度可有效降到1.81 nm(10μm×10μm)。在最佳配比下,采用小粒径、低分散度(99%82.2 nm)的硅溶胶磨料配制抛光液,其抛光效果明显优于采用大粒径、高分散度的硅溶胶磨料配制的抛光液。 【作者单位】： 河北工业大学微电子研究所;
【关键词】： 锗衬底 航空电子 抛光液 氧化剂 粗糙度
【基金】：国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 1引言目前,随着航天工业领域太阳能光伏产业的迅速发展,传统的硅太阳能电池已经到达相当成熟的阶段,但因其转换效率低、抗辐射能力弱,其应用受到了限制[1]。而以锗为衬底的多结化合物太阳能电池因具有转换效率高、耐高温、抗辐射、可靠性强等优势,在航空领域得到广泛的关注[2]

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