太阳能单晶硅位错密度<3000个/cm~2的检测方法研究

【摘要】：该文在无位错单晶硅的检验检测方法GB/T1554-2009的基础上,结合太阳能单晶硅位错腐蚀坑的分布规律,通过实验总结分析,得出了针对太阳能单晶硅位错密度3000个/cm2比较合理的检验检测方法。 【作者单位】： 洛阳中硅高科技有限公司;洛阳单晶硅有限责任公司;
【关键词】： 太阳能单晶硅位错密度 择优腐蚀 位错迁移理论
【分类号】：TQ127.2
【正文快照】： 太阳能单晶硅是光伏发电的主要材料,目前只有适用于集成电路的无位错单晶硅的检测方法(国标GB/T1554-2009),而针对太阳能用单晶硅的位错密度3000个/cm2的检验检测方法,在半导体领域仍是空白。工业生产上需要建立一个太阳能单晶硅位错密度3000个/cm2的合理的检验检测方法,用

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