应用于太阳能电池的硼掺杂纳米硅薄膜性能研究(英文)

【摘要】：本文采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备了轻度掺杂的氢化非晶硅薄膜,沉积过程中以Si H4,B2H6和H2的混和气作为反应源.原始淀积材料经过800和1000°C的高温热退火处理后,形成了硼掺杂的纳米硅薄膜.X射线光电子能谱(XPS)显示硼原子在薄膜中形成了替位式掺杂.根据不同温度下暗电导率的测量结果,轻度硼掺杂的纳米硅薄膜具有较高的室温暗电导率和较低的激活能.进而,采用该种P型硅薄膜材料以N型单晶硅为基底,制作了P-N结太阳能电池器件.根据电流-电压特性以及光谱相应曲线的测量分析,对电池的性能特性进行了研究. 【作者单位】： Department
【关键词】： 硅薄膜;纳米硅;薄膜性能;电流-电压特性;性能特性;光电子能谱;annealed;PECVD;annealing;激活能;
【基金】：supported by the National Natural Science Foundation of China(61306003 and 61274140)
【分类号】：TQ127.2;TM914.4
【正文快照】： INTRODUCTIonDue to their applications in optoelectronic devices,amor-phous silicon(a-Si:H)thin films have been investigatedwidely,and the optical and electric properties of a-Si:Hthin films have been reported in many studies[1–3].Com-pared with a-Si:H f

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