μc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池性能的模拟研究

【摘要】：通过AFORS-HET软件分析了μc-Si:H(n)发射层,前后a-Si:H(i)本征层的厚度和带隙,对μc-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p+)太阳能电池性能的影响。模拟得出a-Si:H(i)本征层通过钝化界面来提高太阳能电池的性能,同样μc-Si:H(p+)背场提高了电池的转换效率。μc-Si:H(n)发射层的厚度为6 nm,带隙为1.6 eV;前后aSi:H(i)本征层的厚度和带隙分别为3 nm和1.6 eV,电池的性能达到最佳。此优化结果可以促进提高低成本高效率的太阳能电池技术。 【作者单位】： 太原科技大学应用科学学院;
【关键词】： 太阳能电池 AFORS-HET 厚度 带隙
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 0引言对于人类而言,太阳能是取之不尽、用之不竭的。如何有效地利用并将太阳能用到人们生活中是太阳能产业研究人员重要而艰巨的任务,因此近年来太阳能电池的发展受到普遍的重视。1994年,日本SANYO公司开发了新型的HIT太阳能电池结构[1,2],这种电池结构的高效性以及低成本性迅

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