一种具有GaInAsN/GaAs量子阱结构的三结太阳能电池的设计

【摘要】：该文使用传输矩阵法分析了GaInAsN/GaAs量子阱对电子的透射情况,并使用crosslight软件对GaInAsN/GaAs量子阱太阳能电池的伏安特性进行了数值模拟和分析。初步讨论了量子阱的阱宽和垒厚的变化对量子阱电池伏安特性的影响.模拟结果发现垒厚32nm、阱宽7nm的量子阱光伏性能表现良好。作为有源区,当将该量子阱加入到GaAs子电池中,InGaP/GaAs/Ge三结电池在AM0下的短路电流密度达到19.81mA/cm2,比未使用量子阱有源区的三结电池提高了20%。 【作者单位】： 华南师范大学物理与电信工程学院;华南师范大学先进材料所;
【关键词】： GaInAsN/GaAs量子阱 阱宽 垒厚 短路电流 伏安特性
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61271127)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 1引言太阳能作为一种清洁、无污染的新型能源越来越受到重视,其中薄膜类太阳能电池一直是研究的一个重点[16,18]。GaInAsN合金材料[14]是一种优秀的太阳能电池材料,Courel等人[1,12]的研究结果表明GaInAsN/GaAs量子阱生长于GaAs空间电荷区,可以增大太阳能电池的波长吸收范围,

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