基于AAO纳米光栅的GaAs太阳能电池组合陷光结构设计与仿真
基于AAO纳米光栅的GaAs太阳能电池组合陷光结构设计与仿真【摘要】:提出了一种新型的表面和底部都带有阳极氧化铝(AAO)纳米光栅的GaAs太阳能电池结构,理论分析了表面和底部陷光
【关键词】: GaAs太阳能电池 AAO 陷光结构 短路电流密度
【基金】:国家自然科学基金(61274064)
【分类号】:TM914.4
【正文快照】: (Received 25 October 2014,accepted 15 January 2015)1引言与Si太阳能电池相比,Ga As太阳能电池以其具有抗辐射和高光电转换效率的特点而被广泛应用于通信和空间领域。因为Ga As是直接带隙半导体,几微米厚的吸收层就可以完全吸收入射光[1],所以常规的Ga As太阳能电池陷光结
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