锰氧化物异质结磁场效应及光伏特效应研究

【摘要】：正 利用脉冲激光沉积技术制备了几类典型的锰氧化物基p-n异质结,研究了异质结在磁场下的行为,观察到明显依赖于磁场的整流行为:5T的外磁场可以导致p-n结扩散电势和击穿电压近100%的增加。在弱p-n结中,1.7 T的外磁场可以导致高达1100%的正磁电阻效应。和单纯的锰氧化物不同,锰氧化物p-n结的结电阻磁场下增加,同时表现出对电流/偏压的强烈依赖。显然,磁电阻效应反映了锰氧化物p-n结的磁电子学特性,而其对电流/偏压的依赖则反映了p-n结的半导体特征,后 【作者单位】：中国科学院物理研究所 中国科学院物理研究所 中国科学院物理研究所 香港中文大学物理系
【基金】：国家自然科学基金 国家973计划的资助
【分类号】：O482.5
【正文快照】： 利用脉冲激光沉积技术制备了几类典型的锰氧化物基p一n异质结,研究了异质结在磁场下的行为,观察到明显依赖于磁场的整流行为:5T的外磁场可以导致p一n结扩散电势和击穿电压近100%的增加。在弱p一n结中,1.7T的外磁场可以导致高达1100%的正磁电阻效应。和单纯的锰氧化物不同,锰

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