多孔硅光伏特性的研究

【摘要】：采用电化学阳极氧化技术在P 型单晶硅片上形成一层多孔硅(PS)层,应用表面光电压谱(SPS)、荧光光谱和吸收光谱等研究了不同的制备工艺条件对多孔硅表面光伏特性的影响。研究结果发现,多孔硅的光电压相对于单晶硅有很大程度的提高,与电化学腐蚀的电流密度、腐蚀时间等工艺条件有关,存在最佳的腐蚀电流密度、腐蚀时间。 【作者单位】：福州大学光催化研究所 福州大学光催化研究所 福州大学光催化研究所
【关键词】：多孔硅 阳极氧化 光伏效应
【基金】：国家自然科学基金(20073007) 福建省自然科学基金(B9820001,A0010014) 教育部留学回国人员科研启动基金(1999-363) 高等学校骨干教师资助计划资助
【分类号】：TB383
【正文快照】： 光调制频率为20Hz.光电压池为夹心型结:IT0/被测样品八TO。多孔硅的荧光光谱和吸收光谱分别由Edinburgh Analytieal Instruments公司的FS900型荧光谱仪,PE公司的Lamda一900型紫外一可见分光光度计测定。3结果与讨论引言,r 6 54决」乞仁翅卿禽票 1 990年,Canhamll]首次报道了

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