硅片的三氯乙烷氧化对二氧化硅和硅特性的影响

【摘要】：本化研究了1050℃至1200℃下100硅在1.1.1.—三氯乙烷(C_(33))跟干氧的混合物中的氧化对二氧化硅和硅特性的影响。加到氧气流中的三氯乙烷(C_(33))使氧化速率同干氧氧化相比增加了。发现氯位于离硅/二氧化硅界面300埃厚的二氧化硅层内。由于HC1的作用,使钠和钾从石英管壁迁移到硅片,因而,C_(33)氧化层内钠和钾的含量比干氧中热生长的氧化层内钠和钾的含量要高。如果二氧化硅表面呈现颗粒状,就可达到可动钠的中和。C_(33)氧化层在290℃下施加一个正的或负的场强后显示出不稳定性。在硅禁带的上半部产生出一些负的氧化层电荷和界面态。没有观察到径C_(33)氧化之后氧化物的固定电荷、界面态密度以及少数载流子的体寿命有什么改善。C_(33)氧化对硅本体材料的主要影响是完全抑制堆垛层错的产生。 【关键词】： 二氧化硅层 氧化物电荷 二氧化硅界面 三氯乙烷 氧化层 堆垛层错 界面态密度 颗粒状 观察到 干氧氧化
【正文快照】： 。、、和氧,或者Caa和氧的混合物被充分加热 一、引 口 时,倘若*Q的浓度是Q。的三倍,那么相 热生长二氧化硅层的质量如何在很大 应的反应产物如*。1、*1。、*。O的浓度则程度上决定了MOS器件和电荷耦合器件 完全相同‘”。只要C。。和氧的贫混合物允的性能。据报道,采用**1和

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