InSb光伏探测器钝化对电学性能的影响

【摘要】：实验以阳极氧化法在0.1MKOH溶液中钝化InSb光伏探测器,测量器件钝化前后电学性能的变化。结果表明,器件经钝化后,反向阻抗普遍提高,零偏压阻值显著增加。由于有效地减小表面漏电现象和“沟道效应”,台面下反型层对信号响应降低,改善了器件敏感面扩大问题。借助于俄歇电子能谱仪和x光能谱仪对钝化膜的主要成份进行了测定。文中列出器件钝化前后性能变化数据,並对实验中的现象及有关工艺问题进行讨论。 【作者单位】：
【关键词】： 光伏探测器 电学性能 器件表面钝化 俄歇电子能谱仪 保护器件 表面漏电 阳极氧化法 敏感面 沟道效应 反型层
【正文快照】： 一、前 .-j-. ..... ..... 】二, 锑化锢是一种金属间化合物半导体,是制备红外探测器的主要材料。然而,在锑化锢光伏探测器研制过程中,存在着敏感面扩大问题和偏低的零偏压电阻。特别是器件表面对外界气氛(如各种离子和气体)极为敏感,吸附分子,原子和离子时会产生表面势垒,影

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