离子注入法制造的Hg_(1-x)Cd_xTe光伏列阵

【摘要】：本文研究制作碲镉汞列阵的一些主要问题。报导该材料涂复钝化层所得结果,及其与体载流子浓度的关系。还讨论了由于离子注入引起的电学性能变化。 【关键词】： 离子注入法 列阵 载流子浓度 钝化层 光伏 涂复 表面迁移率 注入剂量 制造 体材料
【正文快照】： 日‘.奋J 11二J 在研制P一型体材料上的光伏(I,V)啼锅汞(CMT)列阵时,我们发现了一些重要的物理问题,这些问题与这种窄禁带半导体的结构及其在红外探测中的应用有关。例如,由于CMT表面和体的稳定性差,对它进行适当的钝化处理是十分重要的[”“}。 啼化汞结合能比啼化福的至少小

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