非对称耦合双阱P—I—N结构的光伏谱研究

【摘要】：首次报道了GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As/GaAs(50(?)/40(?)/100(?))非对称耦合双阱P-I-N结构的室温光伏谱,清楚地观察到双阱的轻、重空穴激子峰,这些激子峰的能量位置与光荧光和光电流谱得到的数据吻合得很好,而且光伏谱谱形非常类似于光电流谱,呈现清晰的台阶状结构。此外,还观察到轻、重空穴激子跃迁对激发光偏振态的依赖,并讨论了产生光伏谱的机制。 【作者单位】： 西安交通大学电子工程系 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家实验室 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家实验室 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家实验室 西安交通大学电子工程系
【关键词】： 光伏谱 量子阱 GaAs/AlGaAs
【正文快照】： 引言 最近,非对称藕合双阱结构受到特别重视!‘一s],我们研究小组曾在GaAs/AIGaAs非对称藕合双阱PJ二N结构上观察到电子非共振隧穿速率对激发光功率的异常依赖[0],电子的共振隧穿和LO声子辅助隧穿现象[l0],以及由于空穴能级的共振藕合所引起的“阱内,和“阱间”跃迁的反交叉

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