N型低阻GaAs单晶的表面势垒高度和表面态密度的变温光伏测定研究

【摘要】：本文报导了应用变温光伏方法无需制作特定样品结构而可以非破坏性地测定N型低阻GaAs单晶的表面势垒高度和表面态密度的研究。结合简并化影响的考虑,所得结果与有关报导一致。 【作者单位】： 厦门大学物理系 厦门大学物理系
【关键词】： 表面势垒 GaAs单晶 表面态密度 测定研究 N型半导体 低阻 费米能级 表面能级 光伏方法 简并化
【正文快照】： 1 弓l言 半导体单晶的表面势垒高度与表面态密度是影响器件(尤其是表面器件)性能的重要参数。测量方法常采用场效应或接触势等方法,但这些方法可制作MIS结构或具MS接触的Shottky势垒结等。这不但增添了在被测样品上制作特定结构的环节,而且因此不同程度地破坏了原有半导体的

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