用光伏法及红外吸收法分析硅单晶质量

【摘要】：本文用光伏法测定样品的少子扩散长度,论证放宽直线拟合的T.S.Moss条件,用红外吸收法测定样品的氧、碳含量并样品的品质,实验发现,硅单晶的红外吸收光谱(a-λ~(-1))的基线愈高,则其中的少子扩散长度愈短;反之亦然,还探讨了基线的物理性质。 【作者单位】：
【关键词】： 硅单晶 光伏 红外吸收 少子扩散长度 氧含量 碳含量 基线
【正文快照】： 自己卜合v Jl‘J┌────┬─┐│详一匆! │! ││ │l ││ │L_│└────┴─┘帕!l 注叭晶沂最是提高半导体器件性能和成品率的基础.对比下和v比I以及高反压器件等尤其觅要L气少子扩散姆魔最硅单晶品质的重要参数,它与品体结构宪摧性料命体牛的_杂质、缺鹅膺.切相又

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