电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度

【摘要】：从GaAs/电解液界面的电化学研究,提出了一种适合于测定化合物半导体少子扩散长度的光电化学新方法──电化学光伏法,用它成功地测定了n-和p-GaAs体单晶及外延层的少子扩散长度。 【作者单位】： 中国科学院福建物质结构研究所 中国科学院上海冶金研究所 复旦大学物理系 复旦大学物理系
【关键词】： 电化学光伏法 GaAs 少子扩散长度
【正文快照】： 一它le梦一、甘.、日 少子扩散长度是半导体材料的重要参数.目前测量化合物半导体少子扩散长度的光电化学方法,即G敏ne:法[1.‘,受很多因素的限制,并在原理上作了较多的简化,影响测量结果的准确性。,.而固结表面光伏(sPv)法虽然具有设备较简单、测量结果不受表面复合的影响等

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