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用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 03:48:58
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用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质【摘要】:采用低温光伏谱方法,研究了应变In018Ga082/GaAs单量子阱结构中各子能级之间的光跃迁,并与理论计算的结

【摘要】:采用低温光伏谱方法,研究了应变In018Ga082/GaAs单量子阱结构中各子能级之间的光跃迁,并与理论计算的结果进行比较,对光伏谱的谱峰跃迁能量随温度变化的分析,表明量子阱中的应变与温度基本无关.研究了光伏谱的谱峰半高宽度随温度的变化关系.讨论了声子关联、混晶组分起伏及生长界面不平整对光伏谱谱峰宽度的影响 【作者单位】: 厦门大学物理系
【关键词】应变量子阱 光伏谱 InGaAs/GaAs 单量子阱 方法研究 半高宽度 跃迁能量 温度变化 超晶格材料 谱峰能量
【基金】:国家自然科学基金,福建省自然科学基金
【分类号】:O471
【正文快照】: 用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质吴正云王小军余辛黄启圣(厦门大学物理系,厦门361005)采用低温光伏谱方法,研究了应变In018Ga082/GaAs单量子阱结构中各子能级之间的光跃迁,并与理论计算的结果进行比较,对光伏谱的

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