用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质
用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质【摘要】:采用低温光伏谱方法,研究了应变In018Ga082/GaAs单量子阱结构中各子能级之间的光跃迁,并与理论计算的结
【关键词】: 应变量子阱 光伏谱 InGaAs/GaAs 单量子阱 方法研究 半高宽度 跃迁能量 温度变化 超晶格材料 谱峰能量
【基金】:国家自然科学基金,福建省自然科学基金
【分类号】:O471
【正文快照】: 用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质吴正云王小军余辛黄启圣(厦门大学物理系,厦门361005)采用低温光伏谱方法,研究了应变In018Ga082/GaAs单量子阱结构中各子能级之间的光跃迁,并与理论计算的结果进行比较,对光伏谱的
您可以在本站搜索以下学术论文文献来了解更多相关内容
GaAs/AlGaAs多量子阱光生电压谱研究 朱文章,沈顗华
SnO_2/PS/Si吸附气体前后的光伏谱变化 吴孙桃,谢廷贵,王延华,陈议明,沈华
气体吸附对SnO_2/Si光电压的影响 沈 华,朱文章,吴孙桃,蔡玉霜
硅中金受主能级特性的低温动态光伏研究 颜永美
光伏法测量AlAs/GaAs超晶格子带间光跃迁 朱文章,陈朝,刘士毅,江德生,庄蔚华
GaAs电学参数温度性质的研究 张声豪
InGaAs/GaAs应变量子阱光伏谱激子峰展宽的研究 吴正云,王小军,黄启圣
表面光电压法测定半导体光跃迁类型和带隙参数 沈(岂页)华
光伏法研究掺金硅特性 朱文章,沈顗华,刘士毅
制备条件对SnO_2/Si性质的影响 沈华,朱文章,王余姜,蔡玉霜
表面光电压法测量a-Si:H少子扩散长度的进一步研究 张治国,宿昌厚
光伏法测量AlAs/GaAs超晶格子带间光跃迁 朱文章,陈朝,刘士毅,江德生,庄蔚华
13.2W连续输出1540nm波段半导体激光阵列模块 尧舜;刘云;王祥鹏;刘云;姚迪;王立军;
准连续调谐31nm的取样光栅DBR激光器的研制 张瑞康;董雷;江山;余永林;王定理;张靖;陈磊;
1.3μm应变量子阱激光器与光放大器的结构优化与制作 金锦炎
2μm波段材料外延生长与激光器技术研究 李占国
852nm半导体激光器结构设计与外延生长 徐华伟
MBE生长940nm半导体激光器研究 艾立鹍
高功率980nm垂直腔面发射激光器的研制 王青
980nm半导体泵浦激光器结构设计 高少文
980nm高功率垂直腔面发射激光器的研制及测试分析 赵路民
气体传感用长波长大应变量子阱分布反馈激光器的研究 于红艳
量子阱半导体光放大器的数值分析与动态特性研究 彭霁宇
阳极氧化制备InGaAsN激光器的研究 王冰
辐射桥面发射激光器工艺与测试 王博
2μm双极级联激光器的设计与制备 李倩影
半导体激光器线宽展宽因子的理论与实验研究 张帆
上一篇:情暖人间
-
BTU光伏工艺科技创新中心在上海成立2024-08-19
-
单相单级并网光伏发电系统中二次功率扰动的分析与抑制2024-08-19
-
第四届中国太阳级硅材料及光伏发电研讨会在沪召开2024-08-19
-
崛起的光伏产业2024-08-19
-
光伏发电技术及应用2024-08-19
-
一种新型单相光伏发电系统并网技术的实现2024-08-19
-
把握大势 化危为机 再续辉煌——乐山光伏产业发展谈2024-08-19
-
邯郸地区温度和灰尘对独立太阳能光伏发电系统的影响2024-08-19
-
光伏制造商需统一技术路线图2024-08-19
-
太阳能光伏发电系统的设计与研究2024-08-19
-
大型钢构工业建筑屋面建设光伏发电设施利用2024-08-19
-
青海无电农牧地区风光储互补离网型光伏示范电站投入运行2024-08-19
-
基于加权模糊优先相似法评价光伏系统经济性2024-08-19
-
跟随样品太阳电池的光伏阵列模拟器2024-08-19
-
双染料共敏化的纳米晶二氧化钛多孔电极的光伏特性研究2024-08-19