首页 > 88必威

光伏法研究掺金硅特性

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 03:48:47
热度:

光伏法研究掺金硅特性【摘要】:本文采用光伏方法测量掺金硅的少子寿命,掺金浓度为10~(12)~6.62×10~(15)cm~(-3),4个数量级;根据对两类不同电阻率的N型掺金硅少

【摘要】:本文采用光伏方法测量掺金硅的少子寿命,掺金浓度为10~(12)~6.62×10~(15)cm~(-3),4个数量级;根据对两类不同电阻率的N型掺金硅少子寿命系统的测量和统计计算,提出了对硅中金性质的看法。统计计算及简并因子和金施主与金受主的相关性,实验和计算结果都表明,高浓度金掺杂可以改变N型高阻硅的导电类型。 【作者单位】: 厦门集美航海学院物理室 厦门大学物理系
【关键词】掺金硅 少子寿命 光伏 深能级
【基金】:国家自然科学基金
【分类号】:TN305.3
【正文快照】: 光伏法研究掺金硅特性朱文章,沈华,刘士毅(厦门集美航海学院物理室,厦门361021)(厦门大学物理系,厦门361005)【提要】本文采用光伏方法测量掺金硅的少子寿命,掺金浓度为10~(12)~6.62×10~(15)cm~(-3),4个数量级;根据对两类不

您可以在本站搜索以下学术论文文献来了解更多相关内容

半导体材料特性和参数研究    沈顗华,朱文章,吴正云,吴孙桃,张声豪,陈朝,颜永美,周海文,陈议明,刘士毅

硅中金施主和受主光电性质的系统研究    王占国

掺金单晶硅特性的研究    陈敏锐,沈华,刘士毅

掺金单晶硅特性的研究    陈敏锐,沈华,刘士毅

半导体材料特性和参数研究    沈顗华,朱文章,吴正云,吴孙桃,张声豪,陈朝,颜永美,周海文,陈议明,刘士毅

SnO_2/PS/Si吸附气体前后的光伏谱变化    吴孙桃,谢廷贵,王延华,陈议明,沈华

SnO_2/Si的光伏特性    沈 华,张万中,朱文章,蔡玉霜

气体吸附对SnO_2/Si光电压的影响    沈 华,朱文章,吴孙桃,蔡玉霜

硅中金受主能级特性的低温动态光伏研究    颜永美

光伏法测量AlAs/GaAs超晶格子带间光跃迁    朱文章,陈朝,刘士毅,江德生,庄蔚华

GaAs电学参数温度性质的研究    张声豪

n-Al_xGa_(1-x)As/n-GaAs的特性参数研究    沈顗华,朱文章,许淑恋

InGaAs/GaAs应变量子阱光伏谱激子峰展宽的研究    吴正云,王小军,黄启圣

表面光电压法测定半导体光跃迁类型和带隙参数    沈(岂页)华

中子辐照的单晶硅参数研究    沈 华,朱文章,吴孙桃,谢敬仁,陈仪明

量值恒定的表面光电压法测量半导体少子扩散长度的研究    邓韡;陈长缨;洪岳;傅倩;

铜、锌基微/纳米半导体材料的可控合成及应用研究    刘俊

内建电场对纳结构半导体材料功函数调制研究    安盼龙

硅中金施主和受主光电性质的系统研究    王占国

硅中金受主能级在单轴应力下瞬态电容的研究    姚秀琛,秦国刚,曾树荣,元民华

高阻硅中深能级与少子寿命的研究    朱文章, 沈 华

应用12MeV电子束辐照效应制造硅P~+NN~+高频整流二极管    杭德生

激光在半导体集成电路中的应用    本刊编辑部

一种掺金硅热敏电阻器及其制造方法    陶国强

激光高频法测量硅单晶少子寿命    曹泽淳;滕志义;黄洪亮;

硅功率器件的电子辐照效应及其机理    钱思敏;王炳林;王培德;刘安东;黄耀先;张传汉;朱悟新;张厥宗;

应用电子辐照技术控制功率开关晶体管少子寿命的研究    柴天恩,乔健,麦淑贤,郑继义,常保延

N型LPE和VPE-GaAs电子辐照缺陷能级的研究    胡雨生

掺金N型硅中静态电荷转移机制的统计研究    颜永美

直流输电用超大功率晶闸管少子寿命在线控制    李建华

一种测量硅片和太阳电池少子寿命分析仪的研究    徐林;陈风翔;刘梅仓;崔容强;

RTP工艺中铝背场吸杂对硅片少子寿命影响的研究    任丙彦;左燕;霍秀敏;傅洪波;励旭东;王文静;许颖;赵玉文;

快速热处理条件下Cu沾污对多晶硅少子寿命的影响    李晓强;杨德仁;汪雷;阙端麟;

铸造多晶硅不同部位的少子寿命研究    王朋;杨德仁;李晓强;汪雷;阙端麟;

太阳电池中少数载流子的寿命测量    陈凤翔;崔容强;徐林;刘梅苍;杨宏喜;匡子光;

磷吸杂对多晶硅片少子寿命分布的影响    蒋仙;李剑;孙世龙;陈如龙;张光春;施正荣;

真空高阻区熔Si单晶等径初期少子寿命的变化    索开南;闫萍;张殿朝;庞炳远;刘燕;董军恒;

WT-2000少子寿命测试仪的原理及性能    艾斌;沈辉;邓幼俊;

质子辐照用于改善大功率快速晶闸管的特性    张昌利;金银东;金相哲;宋根浩;金南均;王正鸣;陆剑秋;张建平;李建华;朱佳政;杨丙凡;胡选文;

PECVD法生长氮化硅薄膜对多晶硅少子寿命的影响    汪雷;王晓泉;龚灿峰;席珍强;杨德仁;

晶龙模式:让创新“跑赢”市场    段同刚 撰稿

广东:铂金首饰发现掺假可退货    童光

地质公园与西部旅游    胡魁

突破10英寸锗单晶    本报记者 周芳燕

打造最具竞争力光伏产品    段同刚

加强研发抗菌陶瓷    王静

锗单晶为红外光学材料发展作出新贡献    周芳燕

改良西门子法仍将维持主导地位    四川永祥多晶硅有限公司副总经理 易正义

未来兰州将拥有自己的“光谷”    记者 董永前

多孔硅的光电性能研究    赵岳

钙钛矿氧化物薄膜的电学及光学非线性特性研究    陈聪

掺锗直拉硅中的杂质缺陷及其光伏应用研究    朱鑫

等离子体浸没离子注入系统及其应用研究    刘杰

新型阳极短路环GTO晶闸管    张昌利

门极换流晶闸管(GCT)关键技术的研究    王彩琳

SiC材料和器件特性及其辐照效应的研究    尚也淳

低密度SiO_2及其复合气凝胶的制备与特性研究    任洪波

晶体硅太阳电池中的电学复合行为    王朋

太阳能级硅(SOG-Si)光伏电池中多孔硅吸杂工艺及其神经网络分析方法研究    张彩珍

单晶硅生长过程中工艺参数对少子寿命的影响    罗晓英

锗单晶的化学钝化研究    杨成林

4H-SiC PiN二极管少子寿命的研究    段福莉

硅键合材料及二极管少子寿命测试分析与研究    崔国庆

晶体硅太阳电池表面钝化,p-n结、铝背场及少子寿命测量的研究    彭银生

SiNx:H薄膜中原子键合对电池特性和钝化效果的影响    施旸

太阳电池用铸造多晶硅结构缺陷和杂质的研究    吴珊珊

多孔硅的光电特性研究及阵列化多孔硅的制备    方斌

多晶硅太阳电池中氧碳行为和氮化硅的钝化及减反射的研究    勾宪芳

铸造多晶硅中原生杂质及缺陷的研究    邓海

Baidu
map