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分子束外延HgCdTe/GaAs的生长和光伏探测器的研制

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 03:48:06
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分子束外延HgCdTe/GaAs的生长和光伏探测器的研制【摘要】:文中报导了用分子束外廷工艺在GaAs(211)B衬底上生长了较高质量的中、长波HgCdTe薄膜材料。生长后的材料通

【摘要】:文中报导了用分子束外廷工艺在GaAs(211)B衬底上生长了较高质量的中、长波HgCdTe薄膜材料。生长后的材料通过退火进行转型和调节电性参数。选择的组分分别为x=0.330和0.226的两种材料,77K时载流子浓度和迁移率分别为p=6.7×1015cm-3、up=260cm2V-1s-1和4.45×1015cm-3、410cm2V-1s-1。研制了平面型中、长波线列光伏探测器,其典型的探测器D分别为5.0×1010cmHz1/2W-1和2.68×1010cmHz1/2W-1(180°视场下),其中64元线列中波探测器与CMOS电路芯片在杜瓦瓶中耦含后读出并实现了红外成像演示。 【作者单位】: 华北光电研究所
【关键词】分子束外延 碲镉汞/砷化镓外延膜 光伏探测器
【分类号】:TN304.230.54
【正文快照】: 分子束外延HgCdTe/GaAs的生长和光伏探测器的研制陈世达,周荷英,何先忠,林立,徐定瑞,支淑英(华北光电研究所北京100015)文摘:文中报导了用分子束外廷工艺在GaAs(211)B衬底上生长了较高质量的中、长波HgCdTe薄膜材料。生长后的材料

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