InGaAs/GaAs应变量子阱光伏谱激子峰展宽的研究
InGaAs/GaAs应变量子阱光伏谱激子峰展宽的研究【摘要】:实验得到不同温度下应变InGaAs/GaAs量子阱的光伏谱,通过理论计算与实验结果的比较,对各谱峰进行了指认.本文着
【关键词】: 应变量子阱 光伏谱 InGaAs/GaAs 单量子阱 峰展宽 激子线宽 非均匀展宽 锁相放大器 阱宽 低维半导体
【基金】:国家自然科学基金,福建省自然科学基金
【分类号】:O471.3,TN304.260.1
【正文快照】: 1引言随着半导体材料薄层外延技术的发展,高质量的应变InGaAs/GaAs半导体量子阱、超晶格材料在光电子器件的应用得到广泛的重视.用表面光伏谱方法研究量子阱、超晶格体系的光学性质无需制作样品电极、不破坏样品,可以避免意外沾污,对测量样品的尺寸及结构无
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