光伏型锑化铟红外探测器零偏结阻抗结面积乘积的分析

【摘要】：通过推导、求解光照情况下p~+ -n结的电流连续性方程,得出由扩散电流机制决定的零偏结阻抗结面积乘积,并考虑了耗尽区G-R电流、隧道电流机制对R_0A乘积的影响,分析了不同的InSb材料参数及工艺参数对Cd~+扩散光伏型InSb器件R_0A乘积的影响。最后将分析结果与实际结果进行了比较,对提高InSb光伏器件的性能有一定的理论指导意义。 【作者单位】： 航空工业总公司第○一四中心
【关键词】： 锑化铟 红外探测器 零偏结阻抗结面积乘积
【分类号】：TN215
【正文快照】： l 引 言 锑化铟(InSb)是一种具有闪锌矿结构的Ⅲ一V族化合物半导体材料,该材料具有较窄的禁带宽度和较高的电子迁移率,在。77K下,其禁带宽度为0.22’7eV,电子迁移率在105.10~em/V.s之间(空穴迁移率在1矿～l()4em/V.s之间)。这种材料能够吸收易于透过大气的3.5,-m波红外波段,

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