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再论硅光伏探测器的响应度

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 03:46:33
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再论硅光伏探测器的响应度【摘要】:实验中发现部分硅光伏探测器在以光生电压为输出信号时 ,开路电压 VOC存在异常现象 .在一定强度的光照下 VOC出现峰值 ,随后 VOC随入射光强

【摘要】:实验中发现部分硅光伏探测器在以光生电压为输出信号时 ,开路电压 VOC存在异常现象 .在一定强度的光照下 VOC出现峰值 ,随后 VOC随入射光强的上升而下降 .本文对这种异常现象的规律进行了研究和分析 ,认为该现象的产生是由于在金属与半导体之间形成了整流接触 ,这也是导致器件响应度下降的重要原因 【作者单位】: 武汉大学物理科学与技术学院 武汉大学物理科学与技术学院 武汉大学物理科学与技术学院
【关键词】硅光伏探测器 开路电压 并联电阻 串联电阻 整流接触
【基金】:武汉市科技攻关项目资助 ( 2 0 2 12 0 92 9)
【分类号】:TN364
【正文快照】: 0 引 言响应度是光敏器件最重要的优值指标之一 ,定义为光敏感面上单位入射功率所产生的光生电流或光生电压 ,单位为 A/W或 V/W.响应度是波长的函数 ,但在实际应用中 ,通常考虑在一个频带范围中的入射光的总效果 .响应度也可以用光的粒子性描述 ,这就是光敏器件的量子效率

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