离子束诱导转型成结的碲镉汞光伏器件

【摘要】：离子束诱导转型成结技术是一种可以获得高质量p-n结的新型成结方法,它克服了传统碲镉汞(MCT)离子注入成结工艺中钝化层有损伤的弊病,且工艺相对简单,有希望成为碲镉汞红外焦平面器件的新一代成结技术。本文介绍了以环孔工艺和氢化技术为代表的常规离子束刻蚀(Ion Beam Milling)及以H_2/CH_4为代表的反应离子束刻蚀(Reactive Ion Etching)两大类离子束诱导转型(Plasma induced type conversion)成结技术的基本原理、特点及其工艺过程。并以反应离子束刻蚀(RIE)为例,列举了现有报道的典型器件性能。同时还把离子束诱导与离子注入工艺在各方面作了比较。 【作者单位】： 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
【关键词】： 离子束刻蚀 离子注入 碲镉汞 转型 焦平面器件 钝化层 Hg原子 填隙原子 工艺过程 光伏器件
【分类号】：TN21
【正文快照】： 1前言 当前,啼福汞(MCT)仍是制造红外探测器的首选材料。对于蹄镐汞光伏器件来说,I,n成结是器件获得高性能的核心技术[‘]。目前常用的啼镐汞芯片成结技术包括Hg的退火扩散、杂质扩散和离子注入,外延材料还可以用同时掺杂的方法生长同质p一n结或异质结。 在各种常规的啼锅汞

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