硅紫外增强光伏探测器件中的异常光电特性

【摘要】：实验发现某些 UV- 1 1 0硅紫外增强型光伏探测器件的开路电压值随入射光强增大反而下降 ,在一定入射光强下出现峰值。实验和理论分析指出 ,这种异常光电特性的产生是由于器件中存在一个与主结方向相反的寄生 PN结 ,寄生结是 Al电极和 n- Si衬底之间合金化工艺控制不当而引入的肖特基结。 【作者单位】： 武汉大学物理科学与技术学院 武汉大学物理科学与技术学院 武汉大学物理科学与技术学院 武汉大学物理科学与技术学院
【关键词】： 光伏探测器件 开路电压 肖特基势垒
【分类号】：TN23
【正文快照】： 引　言硅紫外增强光伏探测器件是指在 2 0 0～ 40 0 nm波段的光谱响应度得到特别加强的器件。增强紫外响应的主要措施是采用浅结的结构和很低的表面杂质浓度。这类器件制作工艺要求很高 ,并通常采用光伏模式工作[1] 。由于结构和工作模式的特点 ,其中某些器件出现了异常的光

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