变磁场I-V法对碲镉汞光伏器件少子扩散特性的研究

【摘要】：零偏压电阻 面积乘积(R0A)和反向饱和电流密度J0 是决定光电二极管性能的重要参数.提出了一种对碲镉汞(Hg1-xCdxTe)光伏器件的少子扩散特性进行研究的有效方法.利用变磁场下的电流 电压(I V)测试,得到了组分x在 0.5与 0.6之间的器件R0A和J0 随磁场强度B变化的函数关系.由实验结果估算得到了室温工作的短波红外(SWIR)碲镉汞光伏器件的少子扩散长度.其数值与用激光诱导电流(LBIC)方法得到的相一致. 【作者单位】： 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
【关键词】： 变磁场 IV测试 短波红外 碲镉汞光伏器件 少子扩散长度
【基金】：中国科学院国防科技创新基金(cxjj-72)资助项目
【分类号】：TN304
【正文快照】： 引言碲镉汞 (Hg1-xCdxTe)三元系化合物属于窄禁带半导体材料,广泛应用于研制高性能红外探测器,通过对组分x的控制,可工作于 1~20μm红外波段的探测.短波碲镉汞探测器可用于接受海洋表面和云层顶部的反射阳光,对气象预报和环境监测起到了重要作用 [1].由于短波碲镉汞光伏型探

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