气态源分子束外延8元In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP光伏探测器阵列

【摘要】：采用气态源分子束外延(GSMBE)生长技术结合常规半导体工艺制成了正进光台面型8元In0.53Ga0.47As/InP光伏探测器阵列,并对其特性进行了测量,结果表明GSMBE生长的材料具有很好的均匀性。探测器阵列在室温下具有良好的性能,在-10 mV反偏下探测器的暗电流约173 pA,单元间的相对标准差为1.3%;器件的峰值探测率为4.7×1011cm.Hz1/2/W,单元间的相对标准差为0.9%。 【作者单位】： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
【关键词】： 光伏探测器 焦平面阵列 InGaAs 近红外
【分类号】：TN36
【正文快照】： 1引言与InP衬底匹配的三元系In0.53Ga0.47As直接带隙材料,其室温下的禁带宽度约0.75 eV,且具有高迁移率等特点,用其制成的光电探测器可以覆盖1~1.7μm的近红外波段[1]。此波段中包含重要的水汽吸收区(~1.38μm),因此在卫星遥感领域有重要应用[2]。此波段还具有一些独特的光谱

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