硅纳米线阵列的制备及其光伏应用

【摘要】：采用金属催化化学腐蚀方法在单晶硅片表面可以制备出大面积排列整齐、与原始硅片取向一致的硅纳米线阵列,得到的硅纳米线单晶性好、轴向可控且掺杂浓度不受掺杂类型和晶向的影响。基于此,我们成功制备了大面积硅纳米线p-n结二极管阵列。此外,硅纳米线阵列结构具有优异的减反射性能,探索了其在太阳电池中的应用。目前初步研制出了基于硅纳米线阵列的新型太阳电池,获得了最高为9.23%电池效率。同时也研究了限制硅纳米线阵列太阳电池转换效率的主要因素,为以后的应用做了前期的探索工作。 【作者单位】： 清华大学材料科学与工程系 清华大学材料科学与工程系 北京市太阳能研究所 清华大学材料科学与工程系 清华大学材料科学与工程系
【关键词】： 硅纳米线阵列 减反射 太阳电池
【分类号】：TM914
【正文快照】： 0引言自1991年发现碳纳米管以来,一维纳米材料以其尺寸相关的特殊性能受到人们越来越多的关注。考虑到硅和硅集成工艺在集成电路中的重要作用,硅纳米线及其阵列的制备和应用逐渐成为研究的热点,在未来的光电器件设计中具有重要的应用价值。目前,硅纳米线的制备方法主要包括化

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