HgCdTe光伏探测器在高温背景辐照下的I-V特性分析

【摘要】：对中波HgCdTe光伏探测器进行了不同目标温度范围的黑体辐射I-V测试研究,结果表明器件光电流随着目标辐射的升高逐渐上升,同时器件微分阻抗随之下降;在同一背景红外辐射下,器件微分阻抗随着反向偏压的增加而下降.采用“lucky electron”模型对器件的R-V曲线进行了拟合,结果证实器件反偏微分电阻下降的主要原因是由于pn结耗尽区光生载流子的激增,碰撞电离导致的光电倍增效应所引起. 【作者单位】： 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院上海技术物理研究所
【关键词】： HgCdTe 高温背景辐照 碰撞离子化 微分阻抗
【基金】：国防预研(4130202105)资助项目
【分类号】：TN36
【正文快照】： 引言由于HgCdTe直接带隙半导体具有高吸收系数、高量子效率、覆盖波段范围广和响应速度快等一系列优点,现已成为制作红外光电探测器以及发展新一代红外焦平面器件的最佳材料[1].表征和评价器件特性是制备高性能红外焦平面的重要组成部分,表征器件性能的参数主要包括暗电流机

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