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短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 03:40:35
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短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制【摘要】:采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/In

【摘要】:采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征,结果表明在室温下其R0A乘积分别为765,10.3和12.7Ωcm2,比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级.瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作,实测响应速度已达数十ps量级. 【作者单位】: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
【关键词】光伏探测器 短波红外 InGaAs 气态源分子束外延
【基金】:国家“973”项目基金(G20000683) 国家“863”项目基金(2002AA313040)
【分类号】:TN215
【正文快照】: 引言短波红外(1~3μm)波段的光电探测器及其阵列在红外遥感[1]、夜视、温度测量及气体测量等方面都有重要应用.在此波段上除碲镉汞[2]和锑化物外,三元系的InGaAs也是性能优良的的制作光电探测器的材料.对于InGaAs,由于其具有很好的材料稳定性及良好的抗辐照性能,并且有更成熟

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