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HgCdTe光伏探测器反偏暗电流机制分析

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 03:39:18
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HgCdTe光伏探测器反偏暗电流机制分析【摘要】:HgCdTe光伏探测器在第二代和第三代红外探测器中处于主流地位。如何降低探测器的暗电流直接关系到探测器的噪声和灵敏度,其分析计算方

【摘要】:HgCdTe光伏探测器在第二代和第三代红外探测器中处于主流地位。如何降低探测器的暗电流直接关系到探测器的噪声和灵敏度,其分析计算方法有多种。运用Synopsys半导体器件模拟软件对HgCdTe pn结各种机制下的反偏暗电流和动态微分电阻进行了模拟计算。计算结果和相关文献报道的结果以及试验测试结果都吻合很好。 【作者单位】: 云南大学物理科学技术学院物理系 昆明物理所 昆明物理所
【关键词】HgCdTe光伏探测器 暗电流 器件模拟 Synopsys软件 陷阱辅助隧穿电流 模拟计算 半导体器件 测试结果 微分电阻 模拟软件
【基金】:云南省培引人才项目资助(2004PY01-30)
【分类号】:TN215
【正文快照】: 引言目前,HgCdTe光伏探测器在第二代和第三代红外探测器中处于主流地位。它的响应率高,响应速度快,可获得较高的零偏、反偏阻抗,在直接探测和外差探测方面都有着重要的应用。其高阻抗特性使得光伏器件无须任何阻抗转换就能与CMOS读出电路直接配合,实现信号的在片处理,因而在

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