基于Ⅲ-V族半导体材料的热光伏电池研究进展

【摘要】：部分Ⅲ-V族化合物半导体具有较窄的禁带宽度,对红外发射体的温度要求较低,非常适宜制备热光伏(TPV)电池。简要介绍热光伏系统的基本结构,讨论了基于GaSb、InGaAsSb、InGaAs、InAsSbP几种主要窄带隙Ⅲ-V族化合物半导体的热光伏电池的研究情况,对它们的制备方法和主要性能参数进行了比较,分析了各自的优缺点,指出了我国热光伏技术的发展趋势。 【作者单位】： 大连理工大学物理与光电工程学院;
【关键词】： 热光伏 Ⅲ-V族半导体 窄带
【基金】：国家自然科学基金资助项目(60306001)
【分类号】：TM914.42
【正文快照】： 0引言热光伏发电技术(TPV)是将高温热发射体发出的红外辐射能通过半导体光伏电池直接转换成电能的技术。与传统光伏发电系统相比,热光伏发电系统具有如下优点:①不需要太阳光;②理论效率较高,重量轻;③无机械结构,可靠性高。早在1956年,美国麻省理工大学(MIT)的H.H.Kolm博士[1

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