Si基碲镉汞光伏探测器的深能级研究

【摘要】：通过变温I-V测试方法对中波Si基碲镉汞光伏探测器的深能级进行了研究.首先在产生-复合电流为主导电流机理范围内对Si基碲镉汞探测器的I-1/(kBT)曲线拟合,得到-0.01V偏压下单元Si基碲镉汞器件的深能级Eg/4.然后对不同偏压下的实验数据进行了拟合、比较,发现不同偏压下起主导作用的深能级与该偏压下的暗电流机理有较好的对应关系.最后对-0.01V偏压下不同面积器件的深能级进行了拟合、比较,发现深能级与器件面积关系不大,与理论分析相一致,验证了实验方法的可行性. 【作者单位】： 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院;
【关键词】： Si基碲镉汞 深能级 产生-复合电流 理想因子
【基金】：国家自然科学基金(批准号:60706012)资助的课题~~
【分类号】：TN215
【正文快照】： 1.引言Si基碲镉汞光伏探测器具有响应波段可调、量子效率高、介电常数小、光学吸收系数高等优点,还可有效解决由于探测器芯片和Si读出电路热失配带来的可靠性问题[1,2].但由于Si衬底与碲镉汞材料之间较大的晶格失配(19.3%)和热失配,使得材料在生长过程中产生大量失配缺陷[3],

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