硅基纳米金属光刻蚀结构的侧向光伏效应

【摘要】：研究目的是探索半导体异质结构下的新型光电效应,为位置灵敏传感器的设计提供新思路.利用磁控溅射镀膜技术在P型硅基衬底上生长N型Cr金属薄膜,从而得到Cr/SiO/Si的硅基纳米金属异质结构.使用纳米光刻蚀技术在金属层上按照设计的条纹图形进行光刻蚀加工,得到硅基纳米金属光刻蚀结构.在对结构进行I-V特性测量的过程中发现侧向光伏效应.使用635nm,功率5mW激光器时,其侧向光伏效应的最大灵敏度为4.844mV·mm-1,并且线性度较好. 【作者单位】： 防化研究院;东北师范大学;上海交通大学;
【关键词】： 磁控溅射 纳米光刻蚀 半导体异质光伏效应结构 侧向光伏效应
【分类号】：TN305.7
【正文快照】： 光伏效应特指当光照射在物上时,在物体上出现外电压的特殊现象.通常我们将光伏相应分为2类,即纵向光伏效应与侧向光伏效应.侧向光伏效应称为The Lateral photovolatic effect,简称LPE.当点光源照射在半导体P-N上,半导体体制结,金属半导体结上时,利用其结构同一表面引出2个电极

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