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InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 01:34:56
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InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性【摘要】:报道了InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性.通过对p-b-i-n二类超晶格探测器对皮秒脉冲激发

【摘要】:报道了InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性.通过对p-b-i-n二类超晶格探测器对皮秒脉冲激发的瞬态响应特性的分析及拟合,获得了器件的表观少数载流子的寿命.并对不同尺寸台面结构单元器件进行测试分析,发现少数载流子寿命随着台面面积的增大而增大,归结为由于侧壁表面效应带来的影响.所测器件的少数载流子为空穴,其表观寿命约为2~12 ns. 【作者单位】: 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室;
【关键词】InAs/GaSb二类超晶格 瞬态特性 红外探测器
【基金】:国家重点基础研究发展计划(2011CB922004) 国家自然科学基金(61376053,61405231)~~
【分类号】:TN215
【正文快照】: PACS:77.55.Px,78.47.jb,72.40.+w引言In As/Ga Sb二类超晶格器件首先由Sakaki和Esaki在1977年提出[1].由于In As的导带底比Ga Sb的价带顶还要低,两者间隔形成周期性的势阱结构,当In As和Ga Sb的厚度较薄时,电子和空穴各自的波函数之间存在较强的耦合,形成微带能级.通过调整其

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