H_2S在清洁和羟基化TiO_2-B(100)表面吸附的密度泛函理论研究

【摘要】：采用密度泛函理论(DFT)研究H2S分子在清洁和羟基化的TiO2-B(100)表面的吸附行为,同时考察表面羟基对H2S吸附的影响。结果表明:H2S分子优先吸附在TiO2-B(100)表面的五配位Ti上(Ti5C)。当TiO2-B(100)表面被部分羟基化时,无论端羟基还是桥羟基都对H2S的吸附有增强作用,这是由于表面羟基与H2S之间形成了氢键;当TiO2-B(100)表面完全被羟基覆盖时,H2S的吸附会受到削弱。 【作者单位】： 南京工业大学材料化学工程国家重点实验室;
【关键词】： HS TiO 吸附 表面羟基 密度泛函理论
【基金】：国家重点基础研究发展计划(973计划)(2013CB733505,2013CB733501) 国家自然科学基金(21136004,91334202) 江苏省自然科学基金(BK2012421) 教育部博士点专项科研基金(20123221120015)
【分类号】：O647.31
【正文快照】： Ti O2半导体材料在光催化和光电催化等领域受到广泛的关注[1]。由于Ti O2具有较宽的带隙(金红石型的为3.05 e V,锐钛矿型的为3.25e V),导致Ti O2在光催化中只能吸收占太阳光约4%的紫外线。因此,使Ti O2的带隙变窄,实现可见光响应吸引了众多科学家的研究兴趣。研究表明,利用非

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