薄膜太阳能电池陶瓷衬底沉积工艺及性能的研究

【摘要】：正太阳电池发电是解决未来能源问题的重要途径,而成本过高是制约其发展的因素。多晶硅薄膜电池由于具有较高的转换效率和大幅度降低成本的潜力而逐渐成为人们研究的热点。多晶硅薄膜电池研究的主要问题之一,是制备出性能优良的廉价衬底材料。研究中采用了高温的RTCVD方法沉积薄膜,选择的陶瓷衬底有Al_2O_3,Si_3N_4和SiC。Al_2O_3。是目前工艺成熟、应用最为广泛的陶瓷材料,通过在表面性质各异的Al_2O_3衬底上沉积硅薄膜特性的研究,分析衬底晶粒大小、致密度、孔隙 【作者单位】：清华大学材料科学与工程系 清华大学材料科学与工程系 清华大学材料科学与工程系
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 太阳电池发电是解决未来能源问题的重要途径,而成本过高是制约其发展的因素。多晶硅薄膜电池由于具有较高的转换效率和大幅度降低成本的潜力而逐渐成为人们研究的热点。多晶硅薄膜电池研究的主要问题之一,是制备出性能优良的廉价衬底材料。研究中采用了高温的RTcvD方法沉积薄

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