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电子束蒸发法制备Zn(O,S)薄膜及其在SnS薄膜太阳能电池上的I-V特性研究

来源:论文学术网
时间:2024-08-18 13:13:53
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电子束蒸发法制备Zn(O,S)薄膜及其在SnS薄膜太阳能电池上的I-V特性研究【摘要】:采用电子束蒸发法结合氧化工艺制备得到多晶Zn(O,S)薄膜,在可见光范围内,其平均透射率约为

【摘要】:采用电子束蒸发法结合氧化工艺制备得到多晶Zn(O,S)薄膜,在可见光范围内,其平均透射率约为85%,禁带宽度为3.35eV;制备得到结构为glass/ITO/Zn(O,S)/SnS/Ag的异质结器件,表现出明显的整流特性;探讨了Zn(O,S)薄膜厚度对器件I-V特性曲线的影响,当Zn(O,S)薄膜厚度为100nm时,器件具有光响应。 【作者单位】: 福州大学物理与信息工程学院;
【关键词】电子束蒸发法 Zn(O S) 薄膜太阳能电池 I-V特性
【分类号】:TM914.4
【正文快照】: 随着薄膜太阳能电池研究的不断深入,CZTS、CIGS、CdTe等太阳能电池的效率都有了很大的提高。在薄膜太阳能电池结构中,缓冲层对电池性能的影响至关重要。CdS薄膜是最为经常使用的缓冲层材料。但是,由于CdS材料中含有重金属离子Cd2+,具有很强的毒性且会破坏自然环境,此外,CdS的

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